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高溫真空退火爐

簡要描述：華測儀器Huace-1200G高溫真空退火爐設(shè)備的反射鏡采用高準度曲率設(shè)計，通過五軸加工系統(tǒng)制造，以維持更高的反射效率。

產(chǎn)品型號：Huace-1200G
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2026-04-08
訪問量：76

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品牌	華測儀器	產(chǎn)地類別	國產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域	能源,航空航天,汽車及零部件,電氣,綜合

華測儀器Huace-1200G高溫真空退火爐

價格僅供參考，如需獲取更詳盡的產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格書、定制方案或應(yīng)用案例，歡迎致電我司技術(shù)工程師

Huace-1200G高溫真空退火爐由華測儀器生產(chǎn)，是在真空環(huán)境下，對半導(dǎo)體晶圓進行高溫?zé)崽幚淼脑O(shè)備，主要用于消除應(yīng)力、優(yōu)化材料結(jié)構(gòu)、增加電學(xué)性能。在升降溫過程中仍能保持穩(wěn)定均勻的溫度場，可實現(xiàn)寬范圍均熱區(qū)、高速加熱與高速降溫。樣品由石英管保護，無氣氛污染，更適合半導(dǎo)體工藝使用。反射鏡主要分為圓形和拋物線型兩種，可滿足不同材料在不同溫度控制條件下的測試需求。

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號：Huace-1200G

產(chǎn)品尺寸：6寸晶圓或150x150mm產(chǎn)品

溫度范圍：RT ~ 800/1200/1450°C

升溫速度：＜100℃/s可編程（此溫度不含載盤的升溫速度）

＜25℃/s（SiC載盤）

溫度均勻度：±5 °C ≤ 500 ℃

±1 % > 500 ℃

溫度控制重復(fù)性：±1 °C

溫控方式：PID 溫控

應(yīng)用領(lǐng)域

電子材料

半導(dǎo)體用硅化合化的PRA(加熱后急速降溫)

陶瓷與無機材料

半導(dǎo)體用硅化合化的PRA(加熱后急速降溫)

鋼鐵和金屬材料

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