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HCLD-2漏電起痕試驗(yàn)儀在電工電子絕緣材料檢測(cè)中的應(yīng)用發(fā)布時(shí)間：2026-07-03

華測(cè)儀器HCLD-2低壓漏電起痕試驗(yàn)儀是一款為固體絕緣材料電學(xué)性能檢測(cè)研發(fā)的試驗(yàn)設(shè)備，用于模擬絕緣材料在潮濕、污穢、電場(chǎng)共存的復(fù)雜工況下的表面漏電、起痕、擊穿失效過程，準(zhǔn)確評(píng)價(jià)多種固體絕緣材料的耐漏電起痕性能，可測(cè)定材料的相比電痕化指數(shù)（CTI）與耐電痕化指數(shù)（PTI），是電工材...

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2020
12-3

皮安表的技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用范圍
用電流表測(cè)量電流時(shí)，電流表的內(nèi)阻越小或測(cè)量時(shí)的壓降越小時(shí)對(duì)原測(cè)量電路的影響越小，Huace122皮安表FAST模式時(shí)內(nèi)阻幾乎為0，在電路中的*大壓降也不會(huì)超過200μV，所以測(cè)量時(shí)精度高。接下來了解一下皮安表的技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用范圍。一、技術(shù)參...
2020
12-3

腐蝕及測(cè)試方法
金屬腐蝕類型廣義上可分為腐蝕和局部腐蝕。本節(jié)介紹腐蝕的試驗(yàn)技術(shù)。所謂腐蝕（generalcorro-sion),是指在暴露于腐蝕環(huán)境中的整個(gè)金屬表面上發(fā)生的腐蝕，它可以是均勻的，也可以是不均勻的。在與腐蝕環(huán)境接觸的整個(gè)金屬表面上幾乎以相同速...
2020
12-2

居里溫度測(cè)試儀的介紹及技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品介紹：壓電陶瓷除了具有一般介質(zhì)材料所具有的介電性和彈性外，還具有壓電。壓電陶瓷經(jīng)過極化處理之后，就具有了各向異性，每項(xiàng)參數(shù)在不同方向上所表現(xiàn)的數(shù)值不同，這就使得壓電陶瓷的參數(shù)比一般各向同性的介質(zhì)陶瓷多得多。壓電陶瓷的眾多的參數(shù)是它被廣泛...
2020
12-2

制備腐蝕試驗(yàn)試樣的一些原則和方法
ASTM標(biāo)準(zhǔn)G1-90《制備、清洗和評(píng)價(jià)腐蝕試驗(yàn)試樣》建議了制備裸露固態(tài)金屬試樣、清除試驗(yàn)后的腐蝕產(chǎn)物以及評(píng)價(jià)已發(fā)生的腐蝕損傷的試驗(yàn)規(guī)程。其中以下一些有關(guān)試樣制備的原則和方法可供參考。1）對(duì)于模擬暴露于服役環(huán)境的實(shí)驗(yàn)室腐蝕試驗(yàn)而言，采用與服...
2020
12-1

視頻采集技術(shù)在四探針測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用
四探針測(cè)試技術(shù)是半導(dǎo)體生產(chǎn)中主要監(jiān)測(cè)手段之一，并且在半導(dǎo)體材料的測(cè)量中發(fā)揮著越來越重要的作用。四探針測(cè)試技術(shù)是一種測(cè)量技術(shù)，在有些情況下還需要有高分辨率。每一種四探針法對(duì)探針的結(jié)構(gòu)、位置和針尖距都有不同的要求，一般情況下，針距都是很小的，可...
2020
11-30

關(guān)于腐蝕試驗(yàn)的分類
為了達(dá)到金屬材料的耐腐蝕測(cè)試的目的，目前使用的試驗(yàn)方法，按照材料與環(huán)境介質(zhì)的相互關(guān)系，大致可以分為實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)、現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)和實(shí)物試驗(yàn)三大類。（1）實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)，有目的地將專門制備的材料（一般為小型的試樣）在人工配制的、受控制的環(huán)境介質(zhì)條...

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