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  • HCLD-2絕緣材料漏電起痕測(cè)試儀
    HCLD-2絕緣材料漏電起痕測(cè)試儀

    更新時(shí)間:2026-06-12

    型號(hào):HCLD-2

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    華測(cè)儀器HCLD-2絕緣材料漏電起痕測(cè)試儀電痕化是指固體絕緣材料在電應(yīng)力和電解雜質(zhì)的聯(lián)合作用下,在表面(或內(nèi)部)產(chǎn)生導(dǎo)電通道。
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  • HCLD-2固體絕緣材料低壓耐電痕測(cè)試裝置
    HCLD-2固體絕緣材料低壓耐電痕測(cè)試裝置

    更新時(shí)間:2026-06-12

    型號(hào):HCLD-2

    瀏覽量:112

    華測(cè)儀器HCLD-2固體絕緣材料低壓耐電痕測(cè)試裝置是根據(jù)耐漏電起痕試驗(yàn)(電痕化指數(shù)試驗(yàn))的標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定的模擬仿真試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-2CTI 絕緣材料低壓漏電起痕測(cè)試系統(tǒng)
    HCLD-2CTI 絕緣材料低壓漏電起痕測(cè)試系統(tǒng)

    更新時(shí)間:2026-05-09

    型號(hào):HCLD-2

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    華測(cè)儀器HCLD-2 CTI 絕緣材料低壓漏電起痕測(cè)試系統(tǒng)用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和潮濕或污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐漏電性能,測(cè)定其相比電痕化指數(shù) (CTI) 和耐電痕化指數(shù)(PTI) 。
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  • HCLD-2耐漏電起痕指數(shù)(PTI)測(cè)試儀
    HCLD-2耐漏電起痕指數(shù)(PTI)測(cè)試儀

    更新時(shí)間:2026-03-31

    型號(hào):HCLD-2

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    華測(cè)儀器 HCLD-2耐漏電起痕指數(shù)(PTI)測(cè)試儀是根據(jù)耐漏電起痕試驗(yàn)(電痕化指數(shù)試驗(yàn))的標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定的模擬仿真試驗(yàn)項(xiàng)目。
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  • HCLD-III電痕化高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
    HCLD-III電痕化高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    電痕化高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器 是在固體絕緣材料表面上,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)。
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  • HCLD-III固體絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
    HCLD-III固體絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    固體絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器是在固體絕緣材料表面上,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)。
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  • HCLD-III工程塑料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀
    HCLD-III工程塑料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    HCDH-200工程塑料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀是在固體絕緣材料表面上,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)。
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  • HCLD-III反應(yīng)快高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器
    HCLD-III反應(yīng)快高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號(hào):HCLD-III

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    HCDH-200反應(yīng)快反應(yīng)快高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器是在固體絕緣材料表面上,在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之間,施加某一電壓并定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體積的污染液體(0.1%NH 4 CL),用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力,測(cè)定其相比電痕化指數(shù)(CT1)和耐電痕化指數(shù)(PT1)。
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